國(guó)產(chǎn)功率器件 | ||||
序號(hào) | 品牌 | 技術(shù) | 產(chǎn)品 | 應(yīng)用 |
1 | 安世半導(dǎo)體 | 先進(jìn)的小尺寸封裝 | MOSFET、雙極性晶體管、二極管、ESD器件、GaN FET、模擬和邏輯IC | 汽車(chē)電子、工業(yè)和供電、計(jì)算和消費(fèi)電子、移動(dòng)和可穿戴設(shè)備 |
2 | 時(shí)代電氣 | 牽引電傳動(dòng)和網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體 | IGBT、雙極器件、碳化硅肖特基二極管 | 軌道交通、新能源汽車(chē)、供電系統(tǒng) |
3 | 華大半導(dǎo)體 | BCD特色工藝 | 功率器件、碳化硅器件、電源管理芯片、MCU、模擬芯片、安全與智能卡芯片 | 汽車(chē)電子、工業(yè)控制、安全物聯(lián)網(wǎng) |
4 | 東微半導(dǎo)體 | 在高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專(zhuān)利 | 高壓超級(jí)結(jié)以及中低壓屏蔽柵MOSFET 產(chǎn)品 | 新能源汽車(chē)直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源等 |
5 | 芯導(dǎo)科技 | 深槽隔離工藝、改進(jìn)型臺(tái)面工藝、穿通型 NPN結(jié)構(gòu)工藝 TVS技術(shù)平臺(tái) | TVS、MOSFET和肖特基等功率器件,以及電源管理芯片 | 消費(fèi)類(lèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè) |
6 | 新潔能 | 功率MOSFET | 溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET以及IGBT | 消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子以及新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、5G、光伏新能源 |
7 | 捷捷微電 | 晶閘管等半導(dǎo)體分立器件設(shè)計(jì)和制造 | 晶閘管器件;防護(hù)類(lèi)器件;二極管器件;晶體管器件、MOSFET器件、碳化硅器件 | 消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊、智能穿戴、智能監(jiān)控、光伏、物聯(lián)網(wǎng) |
8 | 瑞能半導(dǎo)體 | 晶閘管平面制造、功率快恢復(fù)二極管的先進(jìn)載流子壽命控制、碳化硅二極管 | 碳化硅二極管和MOSFET、晶閘管、功率二極管 | 家電、消費(fèi)電子、通信電源、工業(yè)制造、新能源及汽車(chē) |
9 | 斯達(dá)半導(dǎo) | IGBT、快恢復(fù)二極管 | IGBT、快恢復(fù)二極管等功率芯片,以及IGBT、MOSFET、SiC等功率模塊 | 新能源、新能源汽車(chē)、電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車(chē)電子 |
10 | 芯派科技 | MOSFET、IGBT、二極管、整流器 | 中大功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管、橋堆以及電源管理IC | 充電器、適配器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、網(wǎng)通產(chǎn)品(機(jī)頂盒)、通訊模塊、汽車(chē)充電樁模塊 |
11 | 瞻芯電子 | 6英寸SiC MOSFET | SiC功率器件、SiC驅(qū)動(dòng)芯片、SiC模塊 | 風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁 |
12 | 派恩杰半導(dǎo)體 | SiC功率器件 | SiC MOSFET開(kāi)關(guān)器件、SiC 模塊、SiC SBD、GaN HEMT | 新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、風(fēng)機(jī)并網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、儲(chǔ)能 |
13 | 鎵未來(lái) | GaN-on-Si器件 | ascode結(jié)構(gòu)氮化鎵器件 | PD快充、服務(wù)器和通信電源、電動(dòng)車(chē)、家電、光伏 |
14 | 賽微電子(聚能創(chuàng)芯 | GaN功率器件 | 650 V系列增強(qiáng)型GaN功率器件、PD快充 | 快充、5G通訊、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、新型電源 |
15 | 能華微 | 高性能增強(qiáng)型Si基GaN功率開(kāi)關(guān)器件 | GaN外延片以及功率器件 | 微波射頻、電力電子、光通訊 |
16 | 芯冠科技 | 氮化鎵功率器件 | 氮化鎵(GaN)外延片、氮化鎵(GaN)功率器件 | 電源管理、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng) |
17 | 芯聚能 | 車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體元器件 | SiC模塊(6-in-1)、SiC模塊(2-in-1)、單管SiC或小模塊、分立器件SiC MOSFET | 新能源車(chē)、變頻家電、工業(yè)變頻器、光伏發(fā)電、智能電源裝備 |
18 | 泰科天潤(rùn) | 碳化硅功率器件 | 碳化硅芯片、碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和碳化硅模塊 | 光伏逆變器、充電樁、OBC、車(chē)載DC-DC、通信電源、高端服務(wù)器電源、工業(yè)電源、PC電源 |
19 | 基本半導(dǎo)體 | 650V~10kV 碳化硅工藝 | 碳化硅肖特基二極管、1200V碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊;150mm 碳化硅外延片 | 新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制、國(guó)防軍工 |
20 | 臻驅(qū)科技 | 電驅(qū)功率半導(dǎo)體 | SiC功率模塊、電機(jī)控制器 | 新能源車(chē) |
21 | 瀚薪科技 | 車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOS管 | SiC MOSFET、SiC肖特基二極管、全碳化硅功率模塊 | 新能源車(chē)的OBC/DC-DC/ 充電樁、光伏逆變器、通信電源、高端服務(wù)器電源、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、高鐵、航天工業(yè) |
22 | 華潤(rùn)微 | 聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器 | MOSFET、IGBT、功率IC、智能傳感器、MCU | 功率器件聚焦三電應(yīng)用:電池、電源、電機(jī);智能傳感器聚焦物聯(lián)網(wǎng)和大健康領(lǐng)域 |
23 | 量微半導(dǎo)體 | 氮化鎵功率器件,氮化鎵IC | 氮化鎵功率器件 | USB-PD適配器,智能家居,PC/服務(wù)器電源,電動(dòng)汽車(chē)OBC |
24 | 比亞迪半導(dǎo)體 | 車(chē)規(guī)級(jí)IGBT和SiC器件 | 功率半導(dǎo)體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、MCU、CMOS圖像傳感器、傳感及控制IC、音視頻處理IC | 新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、家電 |
25 | 揚(yáng)杰科技 | SiC/IGBT/MOSFET/Clip封裝和晶圓設(shè)計(jì) | 分立器件、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)、MOSFET、功率模塊、碳化硅 | 電源、家電、照明、安防、網(wǎng)通、消費(fèi)電子、新能源、工控、汽車(chē)電子 |
26 | 蘇州固锝 | 專(zhuān)注于半導(dǎo)體整流器、功率二極管、整流橋 | 橋式整流器、二極管、聚合物靜電抑制器、MOSFET、汽車(chē)整流器 | 電源管理模塊、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)設(shè)備、計(jì)算機(jī)設(shè)備、照明和通訊設(shè)備 |
27 | 吉林華微 | 功率半導(dǎo)體器件 | 全控型功率器件;半控型功率器件;不可控型功率二極管器件;IPM(功率模塊);TVS(瞬態(tài)抑制二極管)、Zener(齊納二極管)、TSS(半導(dǎo)體放電管) | 新能源汽車(chē)、光伏、變頻、工業(yè)控制、消費(fèi)類(lèi)電子 |
28 | 英諾賽科 | 8英寸GaN-on-Si外延 | HV GaN HEMT、LV GaN HEMT、驅(qū)動(dòng)器/控制器 | 新能源汽車(chē)、5G通信、數(shù)據(jù)中心、無(wú)線充電和快充、工業(yè) |
29 | 士蘭微 | 高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵MOSFET、快恢復(fù)二極管、MEMS傳感器 | 電源與功率驅(qū)動(dòng)、MCU、數(shù)字音視頻、射頻與混合信號(hào)、分立器件 | 消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、家電 |
30 | 氮矽科技 | 國(guó)產(chǎn)量產(chǎn)級(jí)別650V增強(qiáng)型氮化鎵MOSFET | 分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片(DX1SE-A)、650V增強(qiáng)型氮化鎵MOSFET、氮化鎵功率IC | 手機(jī)快充、數(shù)據(jù)中心、車(chē)載充電(OBC)、LED電源驅(qū)動(dòng)和5G通信電源 |
國(guó)產(chǎn)功率器件品牌匯總及比較
所屬分類(lèi):國(guó)產(chǎn)替代
發(fā)布時(shí)間:2024/1/15 14:38:22
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