無錫新潔能專業(yè)從事半導體功率器件的研發(fā)與銷售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V~250V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認定。

產(chǎn)品分類:

1.溝槽型（Trench）功率MOSET（12V-200V）:N溝道、P溝道、N+P溝道

2.屏蔽柵溝槽型（Super Trench ）功率MOSET（30V-150V）

3. 超結(jié)（Super Junction）功率 MOSET（600V-900V）

4.IGBT

一、溝槽型（Trench）功率MOSET

新潔能結(jié)合最先進的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

特點與優(yōu)勢：

·低FOM（Rdson*Qg）      ·高雪崩耐量，100%經(jīng)過EAS測試     ·低反向恢復(fù)電荷（Qrr），低反向恢復(fù)峰值電流（Irm）

·抗靜電能力（ESD）       ·抗靜電能力（ESD）                 ·符合RoHS標準

應(yīng)用：

·各類鋰電池保護模塊     ·手機、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管   ·LED TV等消費類電子產(chǎn)品電源

·電動交通工具控制器     ·不間斷電源，逆變器和各類電力電源       ·LED照明